IPP057N08N3GXKSA1

Teknik Özellikler

Continuous Drain Current Id

80A

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

4750pF @ 40V

Turn Off Delay Time

38 ns

Rds On Max Id Vgs

5.7m Ω @ 80A, 10V

Terminal Sayısı

3

Fet Type

N-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

6V 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fall Time Typ

10 ns

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

0.0057Ohm

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz Kodu

yes

Gate Charge Qg Max Vgs

69nC @ 10V

Terminal Pozisyonu

SINGLE

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Turn On Delay Time

18 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2008

Seri

OptiMOS™

Power Dissipation Max

150W Tc

Montaj

Through Hole

Parça Durumu

Active

Qualification Status

Not Qualified

Vgsth Max Id

3.5V @ 90μA

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Halogen Free

Halogen Free

Kurşunsuz

Lead Free