IPP045N10N3GXKSA1

Teknik Özellikler

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Vgsth Max Id

3.5V @ 150μA

Montaj

Through Hole

Power Dissipation Max

214W Tc

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2008

Seri

OptiMOS™

Turn On Delay Time

27 ns

Power Dissipation

214W

Max Dual Supply Voltage

100V

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

TO-220-3

Rise Time

59ns

Jedec95 Code

TO-220AB

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Montaj Tipi

Through Hole

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Halogen Free

Halogen Free

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

6V 10V

Fall Time Typ

14 ns

Fet Type

N-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Rds On Max Id Vgs

4.5m Ω @ 100A, 10V

Turn Off Delay Time

48 ns

Terminal Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

100A

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

8410pF @ 50V

Radyasyon Dayanımı

No

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)