IPP023NE7N3GXKSA1

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

14400pF @ 37.5V

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

120A

Terminal Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

2.3m Ω @ 100A, 10V

Turn Off Delay Time

70 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Fall Time Typ

22 ns

Transistor Application

SWITCHING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

206nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tube

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

JESD-609 Kodu

e3

Radyasyon Dayanımı

No

Turn On Delay Time

19 ns

Yayın Yılı

2008

Seri

OptiMOS™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Power Dissipation Max

300W Tc

Montaj

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

480A

Vgsth Max Id

3.8V @ 273μA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Number Of Elements

1

Halogen Free

Halogen Free

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Montaj Tipi

Through Hole