IPN70R360P7SATMA1

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Drain To Source Voltage Vdss

700V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drainsource On Resistancemax

0.36Ohm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

16.4nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

12.5A Tc

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ds Breakdown Voltagemin

700V

Terminal Formu

GULL WING

Fet Type

N-Channel

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

360m Ω @ 3A, 10V

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

517pF @ 400V

Kılıf / Paket

TO-261-3

Case Connection

DRAIN

Vgs Max

±16V

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Vgsth Max Id

3.5V @ 150μA

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Power Dissipation Max

7.2W Tc

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2014

Seri

CoolMOS™ P7

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED