IPL60R365P7AUMA1

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

555pF @ 400V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

4

Rds On Max Id Vgs

365m Ω @ 2.7A, 10V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Yüzey Montaj

YES

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Terminal Formu

NO LEAD

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Current Continuous Drain Id25

10A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

13nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drainsource On Resistancemax

0.365Ohm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

JESD-609 Kodu

e3

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Seri

CoolMOS™ P7

Yayın Yılı

2014

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

2A (4 Weeks)

Parça Durumu

Active

Jesd30 Code

S-PSSO-N4

Power Dissipation Max

46W Tc

Pulsed Drain Currentmax Idm

26A

Vgsth Max Id

4V @ 140μA

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±20V

Avalanche Energy Rating Eas

27 mJ