IPI80N04S403AKSA1

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

66nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

5260pF @ 25V

Ambalaj

Tube

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Rise Time

12ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj Tipi

Through Hole

Fall Time Typ

16 ns

Rds On Max Id Vgs

3.7m Ω @ 80A, 10V

Continuous Drain Current Id

80A

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz

Contains Lead

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Terminal Pozisyonu

SINGLE

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation Max

94W Tc

Fet Type

N-Channel

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Sayısı

3

Seri

OptiMOS™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgsth Max Id

4V @ 53μA

Vgs Max

±20V

Turn On Delay Time

14 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Max Dual Supply Voltage

40V

Montaj

Through Hole

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2010

Pin Sayısı

3