IPI075N15N3GXKSA1

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

780 mJ

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

46 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

150V

Power Dissipation

300W

Turn On Delay Time

25 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

300W Tc

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Weight

2.387001g

Fet Type

N-Channel

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Input Capacitance Ciss Max Vds

5470pF @ 75V

Rise Time

35ns

Ambalaj

Tube

Montaj Tipi

Through Hole

Continuous Drain Current Id

100A

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2008

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Threshold Voltage

3V

Vgs Max

±20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Max Dual Supply Voltage

150V

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Through Hole

Current Continuous Drain Id25

100A Tc

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

OptiMOS™