IPI041N12N3GAKSA1

Teknik Özellikler

Halogen Free

Halogen Free

Vgsth Max Id

4V @ 270μA

Seri

OptiMOS™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

4.1m Ω @ 100A, 10V

Fall Time Typ

21 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Drainsource On Resistancemax

0.0041Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

211nC @ 10V

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Kurşunsuz

Contains Lead

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Yayın Yılı

2008

Qualification Status

Not Qualified

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Vgs Max

±20V

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Through Hole

Max Dual Supply Voltage

120V

Fet Type

N-Channel

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation Max

300W Tc

Kurşunsuz Kodu

no

Pulsed Drain Currentmax Idm

480A

Montaj Tipi

Through Hole

Rise Time

52ns

Ambalaj

Tube

Input Capacitance Ciss Max Vds

13800pF @ 60V

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant