IPI040N06N3GXKSA1

Teknik Özellikler

Uzunluk

10.36mm

Transistor Application

SWITCHING

Turn On Delay Time

30 ns

Power Dissipation

188W

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Turn Off Delay Time

40 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Avalanche Energy Rating Eas

165 mJ

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

90A

Genişlik

4.52mm

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Input Capacitance Ciss Max Vds

11000pF @ 30V

Montaj Tipi

Through Hole

Ambalaj

Tube

Rise Time

70ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation Max

188W Tc

JESD-609 Kodu

e3

Fet Type

N-Channel

Max Dual Supply Voltage

60V

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Current Continuous Drain Id25

90A Tc

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Yayın Yılı

2008

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz

Lead Free

Drainsource On Resistancemax

0.004Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

98nC @ 10V

Yükseklik

9.45mm