IPI024N06N3GXKSA1

Teknik Özellikler

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Fall Time Typ

24 ns

Rds On Max Id Vgs

2.4m Ω @ 100A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

275nC @ 10V

Yükseklik

9.25mm

Drainsource On Resistancemax

0.0024Ohm

Seri

OptiMOS™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgsth Max Id

4V @ 196μA

Terminal Sayısı

3

Halogen Free

Halogen Free

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Surface Mount, Through Hole

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Max Dual Supply Voltage

60V

Qualification Status

Not Qualified

Vgs Max

±20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2008

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Genişlik

4.4mm

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Continuous Drain Current Id

120A

Ambalaj

Tube

Rise Time

80ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

23000pF @ 30V

Pulsed Drain Currentmax Idm

480A

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz Kodu

yes