IPD60R180P7SAUMA1

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fet Type

N-Channel

Seri

CoolMOS™ P7

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Avalanche Energy Rating Eas

56 mJ

Continuous Drain Current Id

18A

Power Dissipation Max

72W Tc

Vgsth Max Id

4V @ 280μA

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

2

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate Charge Qg Max Vgs

25nC @ 10V

Yükseklik

2.55mm

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

85 ns

Turn On Delay Time

14 ns

Power Dissipation

72W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2014

Current Continuous Drain Id25

18A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

1081pF @ 400V

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks