IPD600N25N3GATMA1

Teknik Özellikler

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Seri

OptiMOS™

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Case Connection

DRAIN

Avalanche Energy Rating Eas

210 mJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Drain Current Id

25A

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Surface Mount

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Power Dissipation Max

136W Tc

Vgsth Max Id

4V @ 90μA

Terminal Sayısı

2

Max Dual Supply Voltage

250V

Halogen Free

Halogen Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Gate Charge Qg Max Vgs

29nC @ 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Formu

GULL WING

Vgs Max

±20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2008

Current Continuous Drain Id25

25A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Contains Lead

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Jedec95 Code

TO-252AA

Transistor Application

SWITCHING