IPD30N10S3L34ATMA1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rds On Max Id Vgs

31m Ω @ 30A, 10V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

1976pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

30A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2011

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

57W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Continuous Drain Current Id

30A

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Seri

OptiMOS™

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Case Connection

DRAIN

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Dual Supply Voltage

100V

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Montaj

Surface Mount