IPC90N04S53R6ATMA1

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

40 mJ

JESD-609 Kodu

e3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Power Dissipation Max

63W Tc

Vgsth Max Id

3.4V @ 23μA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

FLAT

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Gate Charge Qg Max Vgs

32.6nC @ 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

7V 10V

Drain Currentmax Abs Id

90A

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Pulsed Drain Currentmax Idm

360A

Drainsource On Resistancemax

0.0044Ohm

Rds On Max Id Vgs

3.6m Ω @ 45A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1950pF @ 25V

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Yayın Yılı

2016

Current Continuous Drain Id25

90A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant