IPC50N04S5L5R5ATMA1

Teknik Özellikler

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

JESD-609 Kodu

e3

Avalanche Energy Rating Eas

30 mJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation Max

42W Tc

Vgsth Max Id

2V @ 13μA

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

23nC @ 10V

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgs Max

±16V

Terminal Formu

FLAT

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Current Continuous Drain Id25

50A Tc

Yayın Yılı

2016

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

1209pF @ 25V

Pulsed Drain Currentmax Idm

200A

Drainsource On Resistancemax

0.0079Ohm

Rds On Max Id Vgs

5.5m Ω @ 25A, 10V