IPC100N04S51R9ATMA1

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

130 mJ

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

3

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Power Dissipation Max

100W Tc

Vgsth Max Id

3.4V @ 50μA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

FLAT

Gate Charge Qg Max Vgs

65nC @ 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

7V 10V

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Rds On Max Id Vgs

1.9m Ω @ 50A, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Drainsource On Resistancemax

0.0023Ohm

Drain Currentmax Abs Id

100A

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

3770pF @ 25V

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Current Continuous Drain Id25

100A Tc

Yayın Yılı

2016

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant