IPC100N04S51R7ATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgs Max

±20V

Terminal Formu

FLAT

Gate Charge Qg Max Vgs

83nC @ 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

7V 10V

Drainsource On Resistancemax

0.002Ohm

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Rds On Max Id Vgs

1.7m Ω @ 50A, 10V

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Drain Currentmax Abs Id

100A

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

4810pF @ 25V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Current Continuous Drain Id25

100A Tc

Yayın Yılı

2016

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Avalanche Energy Rating Eas

220 mJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Seri

OptiMOS™

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)