IPB80N04S403ATMA1

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Sayısı

2

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

5260pF @ 25V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

66nC @ 10V

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

94W Tc

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgsth Max Id

4V @ 53μA

Seri

OptiMOS™

Yayın Yılı

2010

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Rds On Max Id Vgs

3.3m Ω @ 80A, 10V

Montaj

Surface Mount

Rise Time

12ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

80A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Halogen Free

Halogen Free

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Contains Lead

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Fall Time Typ

16 ns

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Max Dual Supply Voltage

40V

Montaj Tipi

Surface Mount