IPB80N04S3H4ATMA1

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Sayısı

2

Input Capacitance Ciss Max Vds

3900pF @ 25V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 10V

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Power Dissipation Max

115W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgsth Max Id

4V @ 65μA

Seri

OptiMOS™

Yayın Yılı

2008

Rds On Max Id Vgs

4.5m Ω @ 80A, 10V

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

80A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Halogen Free

Halogen Free

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drainsource On Resistancemax

0.0048Ohm

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Yüzey Montaj

YES

Vgs Max

±20V

Max Dual Supply Voltage

40V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Case Connection

DRAIN