IPB80N04S2H4ATMA2

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Fall Time Typ

22 ns

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Power Dissipation

300W

Halogen Free

Halogen Free

ECCN Kodu

EAR99

Avalanche Energy Rating Eas

660 mJ

Max Power Dissipation

300W

Case Connection

DRAIN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Turn On Delay Time

23 ns

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Max Dual Supply Voltage

40V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Rds On Max

3.7 mΩ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2008

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Kılıf / Paket

TO-263-3

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Turn Off Delay Time

46 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Contact Plating

Tin

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101

Input Capacitance

4.4nF

Rise Time

63ns

Continuous Drain Current Id

80A