IPB65R150CFDAATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

no

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

22.4A Tc

Rds On Max Id Vgs

150m Ω @ 9.3A, 10V

Montaj

Surface Mount

Pulsed Drain Currentmax Idm

72A

Continuous Drain Current Id

22.4A

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

4

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

195.3W Tc

Seri

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Yayın Yılı

2008

Vgsth Max Id

4.5V @ 900μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

86nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2340pF @ 100V

Terminal Formu

GULL WING

Avalanche Energy Rating Eas

614 mJ

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Case Connection

DRAIN

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Max Dual Supply Voltage

650V

Vgs Max

±20V

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks