IPB65R110CFDATMA1

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgsth Max Id

4.5V @ 1.3mA

Seri

CoolMOS™

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gate Charge Qg Max Vgs

118nC @ 10V

Turn Off Delay Time

68 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

31.2A Tc

Rds On Max Id Vgs

110m Ω @ 12.7A, 10V

Pin Sayısı

4

Pulsed Drain Currentmax Idm

99.6A

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Fall Time Typ

6 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation Max

277.8W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

4V

Yayın Yılı

2008

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Input Capacitance Ciss Max Vds

3240pF @ 100V

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Rise Time

11ns

Kurşunsuz Kodu

no