IPB50R199CPATMA1

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

3.5V @ 660μA

Drain To Source Voltage Vdss

550V

Yayın Yılı

2008

Seri

CoolMOS™

Power Dissipation Max

139W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

1800pF @ 100V

Turn Off Delay Time

80 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

45nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

4

Continuous Drain Current Id

17A

Pin Sayısı

3

Pulsed Drain Currentmax Idm

40A

Current Continuous Drain Id25

17A Tc

Rds On Max Id Vgs

199m Ω @ 9.9A, 10V

Rise Time

14ns

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

no

Fall Time Typ

10 ns

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Halogen Free

Halogen Free

Power Dissipation

139W

Kurşunsuz

Contains Lead

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Turn On Delay Time

35 ns