IPB50N12S3L15ATMA1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Yüzey Montaj

YES

Avalanche Energy Rating Eas

330 mJ

Case Connection

DRAIN

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drainsource On Resistancemax

0.0206Ohm

Jedec95 Code

TO-263AB

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

Ds Breakdown Voltagemin

120V

Reference Standard

AEC-Q101

Pulsed Drain Currentmax Idm

200A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain Currentmax Abs Id

50A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Operating Temperature Min

-55°C

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2016