IPB35N10S3L26ATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Drain Currentmax Abs Id

35A

Current Continuous Drain Id25

35A Tc

Rds On Max Id Vgs

26.3m Ω @ 35A, 10V

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

140A

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

71W Tc

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgsth Max Id

2.4V @ 39μA

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Yayın Yılı

2011

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Sayısı

2

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

2700pF @ 25V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

39nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Avalanche Energy Rating Eas

175 mJ

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drainsource On Resistancemax

0.0322Ohm