IPB320N20N3GATMA1

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

29nC @ 10V

Turn Off Delay Time

21 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2350pF @ 100V

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Power Dissipation Max

136W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

OptiMOS™

Yayın Yılı

2008

Vgsth Max Id

4V @ 90μA

Drain To Source Voltage Vdss

200V

Kurşunsuz Kodu

no

Ds Breakdown Voltagemin

200V

Transistor Application

SWITCHING

Montaj

Surface Mount

Rise Time

9ns

Rds On Max Id Vgs

32m Ω @ 34A, 10V

Current Continuous Drain Id25

34A Tc

Continuous Drain Current Id

34A

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

4

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Radyasyon Dayanımı

No

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation

136W

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Fall Time Typ

4 ns

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active