IPB123N10N3GATMA1

Teknik Özellikler

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Seri

OptiMOS™

Vgsth Max Id

3.5V @ 46μA

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Turn Off Delay Time

24 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

35nC @ 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

12.3m Ω @ 46A, 10V

Current Continuous Drain Id25

58A Tc

Pin Sayısı

4

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Fall Time Typ

5 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

94W Tc

Yayın Yılı

2007

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

2500pF @ 50V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz Kodu

no

Montaj

Surface Mount