IPB108N15N3GATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Current Continuous Drain Id25

83A Tc

Rds On Max Id Vgs

10.8m Ω @ 83A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Vgsth Max Id

4V @ 160μA

Seri

OptiMOS™

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Turn Off Delay Time

32 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

55nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Fall Time Typ

9 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Contains Lead

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Rise Time

35ns

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

no

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

83A

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

214W Tc

JESD-609 Kodu

e3

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

3V

Yayın Yılı

2008

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ