IPB107N20N3GATMA1

Teknik Özellikler

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Avalanche Energy Rating Eas

560 mJ

Case Connection

DRAIN

Yükseklik

4.7mm

Turn On Delay Time

18 ns

Power Dissipation

300mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj

Surface Mount

Rise Time

26ns

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

88A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Max Junction Temperature Tj

175°C

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

7100pF @ 100V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation Max

300W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2008

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Fall Time Typ

11 ns

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

88A Tc

Rds On Max Id Vgs

10.7m Ω @ 88A, 10V

Pin Sayısı

4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB