IPB054N06N3GATMA1

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Turn Off Delay Time

32 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

82nC @ 10V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Seri

OptiMOS™

Vgsth Max Id

4V @ 58μA

Qualification Status

Not Qualified

Rds On Max Id Vgs

5.4m Ω @ 80A, 10V

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Drainsource On Resistancemax

0.0057Ohm

Kurşunsuz

Contains Lead

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Fall Time Typ

9 ns

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

6600pF @ 30V

Terminal Formu

GULL WING

Power Dissipation Max

115W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2008

Kurşunsuz Kodu

no