IPA65R190E6XKSA1

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2008

Fall Time Typ

10 ns

Case Connection

ISOLATED

Rise Time

11ns

Power Dissipation

34W

Continuous Drain Current Id

20.8A

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

112 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Pin Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

1620pF @ 100V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Seri

CoolMOS™

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Avalanche Energy Rating Eas

485 mJ

Jedec95 Code

TO-220AB

JESD-609 Kodu

e3

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

73nC @ 10V

Parça Durumu

Not For New Designs

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Kurşunsuz

Lead Free

Max Dual Supply Voltage

650V

Halogen Free

Halogen Free

Pulsed Drain Currentmax Idm

66A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Montaj

Through Hole

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

20.2A Tc

Kurşunsuz Kodu

yes