IPA65R099C6XKSA1

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

99m Ω @ 12.8A, 10V

Seri

CoolMOS™

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Vgs Max

±20V

Avalanche Energy Rating Eas

845 mJ

Turn On Delay Time

10.6 ns

Ambalaj

Tube

Power Dissipation Max

35W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Turn Off Delay Time

77 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Current Continuous Drain Id25

38A Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

2780pF @ 100V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Vgsth Max Id

3.5V @ 1.2mA

Halogen Free

Halogen Free

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Montaj

Through Hole

Yayın Yılı

2008

Drainsource On Resistancemax

0.099Ohm

Fall Time Typ

6 ns

Jedec95 Code

TO-220AB

JESD-609 Kodu

e3

Fet Type

N-Channel

Case Connection

ISOLATED

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

127nC @ 10V

Power Dissipation

35W

Rise Time

9ns