BSZ096N10LS5ATMA1

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

NO LEAD

Number Of Elements

1

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Pozisyonu

DUAL

Operating Temperature Min

-55°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2013

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Ds Breakdown Voltagemin

100V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Case Connection

DRAIN

Drainsource On Resistancemax

0.0096Ohm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yüzey Montaj

YES

Pulsed Drain Currentmax Idm

160A

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Jesd30 Code

S-PDSO-N3

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Drain Currentmax Abs Id

11A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Avalanche Energy Rating Eas

82 mJ

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING