BSZ065N03LSATMA1

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Continuous Drain Current Id

12A

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz Kodu

no

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Seri

OptiMOS™

Rds On Max Id Vgs

6.5m Ω @ 20A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgs Max

±20V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PDSO-N3

Pin Sayısı

8

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Pin Sayısı

8

Power Dissipation

2.1W

Halogen Free

Halogen Free

Current Continuous Drain Id25

12A Ta 40A Tc

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance Ciss Max Vds

670pF @ 15V

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Dual Supply Voltage

30V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kurşunsuz

Contains Lead

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

1

Rise Time

3.4ns

Terminal Formu

NO LEAD

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 10V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation Max

2.1W Ta 26W Tc

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2012

Terminal Sayısı

3