BSZ0506NSATMA1

Teknik Özellikler

Contact Plating

Tin

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Drainsource On Resistancemax

0.0053Ohm

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

2.1W Ta 27W Tc

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2013

Terminal Sayısı

3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Rise Time

2.4ns

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Terminal Formu

NO LEAD

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Dual Supply Voltage

30V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Contains Lead

Input Capacitance Ciss Max Vds

950pF @ 15V

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

15A Ta 40A Tc

ECCN Kodu

EAR99

Halogen Free

Halogen Free

Pin Sayısı

8

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

S-PDSO-N3

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Drain Currentmax Abs Id

15A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Avalanche Energy Rating Eas

20 mJ

Vgs Max

±20V