BSZ018NE2LSATMA1

Teknik Özellikler

Halogen Free

Halogen Free

Power Dissipation

2.1W

Current Continuous Drain Id25

23A Ta 40A Tc

Transistor Application

SWITCHING

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Pin Sayısı

8

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2013

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Threshold Voltage

2V

Drainsource On Resistancemax

0.0024Ohm

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Contains Lead

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Gate Charge Qg Max Vgs

39nC @ 10V

Terminal Formu

FLAT

Pin Sayısı

8

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

2800pF @ 12V

JESD-609 Kodu

e3

Continuous Drain Current Id

23A

Seri

OptiMOS™

Rds On Max Id Vgs

1.8m Ω @ 30A, 10V

Kurşunsuz Kodu

no

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

S-PDSO-F3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

2.1W Ta 69W Tc