BSZ013NE2LS5IATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Dual Supply Voltage

25V

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Number Of Elements

1

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 10V

Terminal Formu

NO LEAD

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2013

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation Max

2.1W Ta 69W Tc

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Montaj

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Drainsource On Resistancemax

0.0017Ohm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Continuous Drain Current Id

40A

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Pulsed Drain Currentmax Idm

160A

Kurşunsuz Kodu

yes

Rds On Max Id Vgs

1.3m Ω @ 20A, 10V

Seri

OptiMOS™

Avalanche Energy Rating Eas

90 mJ

Vgs Max

±16V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain Currentmax Abs Id

32A

Pin Sayısı

8

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

S-PDSO-N3