BSS123E6327

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

1.8V @ 50μA

Feedback Capmax Crss

6 pF

Rise Time

5ns

Yayın Yılı

1999

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz

Contains Lead

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

360mW Ta

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

360mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Akım Değeri

170mA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

2.67nC @ 10V

Voltage Rated Dc

100V

Terminal Formu

GULL WING

Rds On Max Id Vgs

6 Ω @ 170mA, 10V

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Continuous Drain Current Id

170mA

Current Continuous Drain Id25

170mA Ta

Montaj

Surface Mount

Seri

SIPMOS®

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Parça Durumu

Obsolete

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)