BSP322PH6327XTSA1

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Fet Type

P-Channel

Montaj

Surface Mount

Genişlik

3.5mm

Yayın Yılı

2012

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Continuous Drain Current Id

1A

Halogen Free

Halogen Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Ciss Max Vds

372pF @ 25V

Rds On Max Id Vgs

800m Ω @ 1A, 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

1A Tc

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Turn Off Delay Time

21.2 ns

Pin Sayısı

4

Drainsource On Resistancemax

0.8Ohm

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Rise Time

4.3ns

Drain Currentmax Abs Id

1A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

8.3 ns

Yükseklik

1.6mm

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

4

Terminal Pozisyonu

DUAL

Seri

SIPMOS®

Gate Charge Qg Max Vgs

16.5nC @ 10V

Vgsth Max Id

1V @ 380μA

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Power Dissipation

1.8W

Terminal Formu

GULL WING