BSP135H6327XTSA1

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Continuous Drain Id25

120mA Ta

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

5.6ns

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Pin Sayısı

4

Turn Off Delay Time

28 ns

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fet Feature

Depletion Mode

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Akım

12A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2012

Genişlik

3.5mm

Montaj

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Rds On Max Id Vgs

45 Ω @ 120mA, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

146pF @ 25V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Halogen Free

Halogen Free

Continuous Drain Current Id

120mA

Vgs Max

±20V

Recovery Time

130 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Uzunluk

6.5mm

Power Dissipation Max

1.8W Ta

Max Dual Supply Voltage

600V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

4

Case Connection

DRAIN

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

0V 10V