BSC600N25NS3GATMA1

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

60m Ω @ 25A, 10V

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Continuous Drain Current Id

25A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Power Dissipation

125W

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

FLAT

Montaj Tipi

Surface Mount

Halogen Free

Halogen Free

Rise Time

10ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

4V @ 90μA

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Max Dual Supply Voltage

250V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kurşunsuz

Contains Lead

Pin Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Seri

OptiMOS™

Drainsource On Resistancemax

0.06Ohm

Yayın Yılı

2011

Kurşunsuz Kodu

no

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Reach Svhc

No SVHC

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

8

Montaj

Surface Mount

Number Of Elements

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

2350pF @ 100V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

5

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active