BSC123N10LSGATMA1

Teknik Özellikler

Vgs Max

±20V

Terminal Sayısı

5

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Case Connection

DRAIN

Parça Durumu

Active

Current Continuous Drain Id25

10.6A Ta 71A Tc

Qualification Status

Not Qualified

Power Dissipation Max

114W Tc

Contact Plating

Tin

Gate Charge Qg Max Vgs

68nC @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Seri

OptiMOS™

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

no

Yayın Yılı

2011

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Input Capacitance Ciss Max Vds

4900pF @ 50V

Number Of Elements

1

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

2.4V @ 72μA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Max Dual Supply Voltage

100V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz

Contains Lead

Pin Sayısı

8

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Rds On Max Id Vgs

12.3m Ω @ 50A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

10.6A

Power Dissipation

114W