BSC0904NSIATMA1

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Pin Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

1100pF @ 15V

Number Of Elements

1

Montaj

Surface Mount

Drainsource On Resistancemax

0.0052Ohm

Seri

OptiMOS™

Yayın Yılı

2013

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

no

Power Dissipation Max

2.5W Ta 37W Tc

Current Continuous Drain Id25

20A Ta 78A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Terminal Sayısı

5

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Case Connection

DRAIN

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Halogen Free

Halogen Free

Rise Time

4.4ns

Terminal Formu

FLAT

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

20A

Rds On Max Id Vgs

3.7m Ω @ 30A, 10V

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Power Dissipation

2.5W

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

8

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz

Contains Lead

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED