BSC0502NSIATMA1

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Input Capacitance Ciss Max Vds

1600pF @ 15V

Montaj

Surface Mount

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Seri

OptiMOS™

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2013

Current Continuous Drain Id25

26A Ta 100A Tc

Power Dissipation Max

2.5W Ta 43W Tc

Drain Currentmax Abs Id

26A

Gate Charge Qg Max Vgs

26nC @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Terminal Sayısı

5

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Case Connection

DRAIN

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

FLAT

Montaj Tipi

Surface Mount

Halogen Free

Halogen Free

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Rds On Max Id Vgs

2.3m Ω @ 30A, 10V

Continuous Drain Current Id

100A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz

Contains Lead

Pin Sayısı

8

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vgsth Max Id

2V @ 250μA