BSC0500NSIATMA1

Teknik Özellikler

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Montaj

Surface Mount

Number Of Elements

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

3300pF @ 15V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drainsource On Resistancemax

0.0017Ohm

Seri

OptiMOS™

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2013

Current Continuous Drain Id25

35A Ta 100A Tc

Power Dissipation Max

2.5W Ta 69W Tc

Drain Currentmax Abs Id

35A

Gate Charge Qg Max Vgs

52nC @ 10V

Vgs Max

±20V

Terminal Sayısı

5

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Case Connection

DRAIN

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

FLAT

Montaj Tipi

Surface Mount

Halogen Free

Halogen Free

Rds On Max Id Vgs

1.3m Ω @ 30A, 10V

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Continuous Drain Current Id

100A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

Pin Sayısı

8

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Avalanche Energy Rating Eas

40 mJ