BSC035N04LSGATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

8

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Halogen Free

Halogen Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

4.6ns

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

21A

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Power Dissipation Max

2.5W Ta 69W Tc

Qualification Status

Not Qualified

Current Continuous Drain Id25

21A Ta 100A Tc

Terminal Sayısı

5

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Input Capacitance Ciss Max Vds

5100pF @ 20V

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yayın Yılı

2009

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

0.0053Ohm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz

Contains Lead

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Max Dual Supply Voltage

40V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Vgsth Max Id

2V @ 36μA

Avalanche Energy Rating Eas

65 mJ

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation

69W

Rds On Max Id Vgs

3.5m Ω @ 50A, 10V

JESD-609 Kodu

e3