BSC034N06NSATMA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kurşunsuz

Contains Lead

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

8

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Max Dual Supply Voltage

60V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

3.3V @ 41μA

Terminal Formu

FLAT

Rise Time

5ns

Halogen Free

Halogen Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Power Dissipation

2.5W

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Rds On Max Id Vgs

3.4m Ω @ 50A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

100A

Gate Charge Qg Max Vgs

41nC @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation Max

2.5W Ta 74W Tc

Current Continuous Drain Id25

100A Tc

Parça Durumu

Active

Case Connection

DRAIN

Terminal Sayısı

5

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Vgs Max

±20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

3000pF @ 30V

Number Of Elements

1

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ