BSC018NE2LSATMA1

Teknik Özellikler

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Gate Charge Qg Max Vgs

39nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2800pF @ 12V

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Sayısı

5

Power Dissipation

69W

Parça Durumu

Active

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Rise Time

4.4ns

Transistor Element Material

SILICON

Halogen Free

Halogen Free

Qualification Status

Not Qualified

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.5W Ta 69W Tc

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Pin Sayısı

8

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Pozisyonu

DUAL

Contact Plating

Tin

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Max Dual Supply Voltage

25V

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Contains Lead

Terminal Formu

FLAT

Kurşunsuz Kodu

no

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Continuous Drain Id25

29A Ta 100A Tc

Rds On Max Id Vgs

1.8m Ω @ 30A, 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED