BSC018N04LSGATMA1

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2009

Drainsource On Resistancemax

0.0025Ohm

Continuous Drain Current Id

30A

Seri

OptiMOS™

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Rds On Max Id Vgs

1.8m Ω @ 50A, 10V

Current Continuous Drain Id25

30A Ta 100A Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Formu

FLAT

Kurşunsuz

Contains Lead

Number Of Elements

1

Max Dual Supply Voltage

40V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Case Connection

DRAIN

JESD-609 Kodu

e3

Contact Plating

Tin

Terminal Pozisyonu

DUAL

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Avalanche Energy Rating Eas

295 mJ

Qualification Status

Not Qualified

Halogen Free

Halogen Free

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Power Dissipation Max

2.5W Ta 125W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Power Dissipation

125W

Transistor Element Material

SILICON