BSC009NE2LSATMA1

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Yayın Yılı

2012

Transistor Application

SWITCHING

JESD-609 Kodu

e3

Seri

OptiMOS™

Continuous Drain Current Id

41A

Case Connection

DRAIN

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Pozisyonu

DUAL

Montaj

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

41A Ta 100A Tc

Rds On Max Id Vgs

0.9m Ω @ 30A, 10V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Halogen Free

Halogen Free

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation Max

2.5W Ta 96W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

FLAT

Kurşunsuz Kodu

no

Max Dual Supply Voltage

25V

Power Dissipation

2.5W

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Contains Lead

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Element Material

SILICON

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Turn On Delay Time

10 ns

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Rise Time

33ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fall Time Typ

19 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Pin Sayısı

8

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V